सैमसंग ने घोषणा की है कि वे 512GB eUFS 3.0 स्टोरेज का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करेंगे। यह मोबाइल उद्योग के लिए पहली बार होगा क्योंकि अन्य सभी स्मार्टफोन अभी भी eUFS 2.1 मेमोरी चिप्स का उपयोग कर रहे हैं। दुर्भाग्य से, इन चिप्स का उपयोग 'अगली पीढ़ी के स्मार्टफ़ोन' में किया जाएगा और नए S10 श्रृंखला उपकरणों में मौजूद नहीं होंगे। हालाँकि, यह अफवाह उड़ी है कि सैमसंग अपने नए सैमसंग गैलेक्सी फोल्ड डिवाइस में मेमोरी चिप लगा सकता है।
सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स में वीपी ऑफ़ मेमोरी सेल्स एंड मार्केटिंग चेओल चोई ने कहा कि 'हमारे ईयूएफएस 3.0 लाइनअप के बड़े पैमाने पर उत्पादन की शुरुआत से हमें अगली पीढ़ी के मोबाइल बाजार में बहुत फायदा मिलता है जिसमें हम एक मेमोरी रीड स्पीड ला रहे हैं जो पहले अल्ट्रा-स्लिम लैपटॉप पर ही उपलब्ध थी।'
512GB eUFS 3.0 में आठवीं पीढ़ी का 512GB V-NAND डाई होगा और इसमें हाई-परफॉर्मेंस कंट्रोलर भी होगा। 2,100 एमबी / एस तक की गति की अपेक्षा की जाती है, जो कि वर्तमान ईयूएफएस 2.1 चिप्स की तुलना में दोगुनी से अधिक होगी। नई चिप्स हाल ही में भंडारण प्रदर्शन के मामले में अल्ट्रा-स्लिम लैपटॉप के रूप में तेज़ हैं। दूसरी ओर, लिखने की गति लगभग 410 एमबी / एस होगी, जो इसे एसएटीए प्रेस के रूप में उसी गति क्षेत्र में रखेगी। इसके अलावा, इनपुट / आउटपुट ऑपरेशंस प्रति सेकंड (IOPS) में भी वृद्धि देखी गई है, जिसमें 63,000 रैंडम रीड IOPS और 68,000 रैंडम राइट IOPS का प्रदर्शन किया गया है। इन स्पीड के साथ, आप स्मार्टफोन से एक फुल एचडी मूवी अपने लैपटॉप में केवल 3 सेकंड में ट्रांसफर कर सकते हैं।
eUFS 3.0
यह एक शक के बिना भविष्य के फोन में eUFS 3.0 मेमोरी चिप्स को जोड़ने के लिए प्रतियोगियों पर दबाव डाल सकता है। इसलिए, हम अधिक कंपनियों से जल्द ही मानक अपनाने की उम्मीद कर सकते हैं।
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